STW9NK95Z STMicroelectronics
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Technische Details STW9NK95Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STW9NK95Z nach Preis ab 3.03 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 950V 7A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V |
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STW9NK95Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| STW9NK95Z |
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STW9NK95Z Produktcode: 132810 |
IC > IC andere |
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STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW9NK95Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.41A; Idm: 28A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 4.41A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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