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STWA35N65DM2

STWA35N65DM2 STMicroelectronics


stwa35n65dm2.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STWA35N65DM2 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 93mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 56.3nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STWA35N65DM2 Hersteller : STMicroelectronics stwa35n65dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STWA35N65DM2 Hersteller : STMicroelectronics stwa35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STWA35N65DM2 Hersteller : STMicroelectronics stwa35n65dm2.pdf Description: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Vgs (Max): ±25V
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STWA35N65DM2 Hersteller : STMicroelectronics stwa35n65dm2-1916577.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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STWA35N65DM2 Hersteller : STMicroelectronics stwa35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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