STWA35N65DM2 STMicroelectronics
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Technische Details STWA35N65DM2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 93mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 56.3nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote STWA35N65DM2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| STWA35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STWA35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: PTD HIGH VOLTAGE Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Vgs (Max): ±25V |
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| STWA35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
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| STWA35N65DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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