STWA40N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.15 EUR |
| 10+ | 8.85 EUR |
| 50+ | 7.02 EUR |
| 100+ | 6.43 EUR |
| 500+ | 5.39 EUR |
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Technische Details STWA40N60M2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ M2, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 57nC, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 88mΩ, Pulsed drain current: 136A, Polarisation: unipolar, Drain current: 22A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.
Weitere Produktangebote STWA40N60M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STWA40N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STWA40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Pulsed drain current: 136A Polarisation: unipolar Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STWA40N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads
MOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads
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| STWA40N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Pulsed drain current: 136A
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Pulsed drain current: 136A
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
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