Technische Details STWA45N60DM2AG STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Case: TO247, On-state resistance: 93mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 56nC, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote STWA45N60DM2AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| STWA45N60DM2AG | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STWA45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: TO247 On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 56nC Application: automotive industry |
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| STWA45N60DM2AG |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
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| STWA45N60DM2AG |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247
On-state resistance: 93mΩ
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Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
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