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STWA60N043DM9

STWA60N043DM9 STMicroelectronics


stwa60n043dm9.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
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Technische Details STWA60N043DM9 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM9 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STWA60N043DM9 STWA60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stwa60n043dm9.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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STWA60N043DM9 STWA60N043DM9 Hersteller : STMICROELECTRONICS stwa60n043dm9.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM9 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STWA60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stwa60n043dm9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STWA60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB0A013DB172DA0D6&compId=STWA60N043DM9.pdf?ci_sign=fc7eec54499940502aa4556aad98da867dc07ead Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STWA60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB0A013DB172DA0D6&compId=STWA60N043DM9.pdf?ci_sign=fc7eec54499940502aa4556aad98da867dc07ead Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
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