SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.66 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUD08P06-155L-GE3 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 20.8W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 20.8W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH |
auf Bestellung 10418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD08P06-155L-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |