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SUD40151EL-GE3

SUD40151EL-GE3 Vishay Semiconductors

sud40151el.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252
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Technische Details SUD40151EL-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sud40151el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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