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SUD50N06-09L-E3

sud50n06.pdf
Produktcode: 169164
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1426 Stücke:
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+2.21 EUR
4000+2.11 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 96 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sud50n06.pdf MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors sud50n06.pdf MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
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