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SUD50N06-09L-E3

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Produktcode: 169164
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1426 Stücke:
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90+1.96 EUR
98+1.78 EUR
101+1.69 EUR
200+1.65 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+2.69 EUR
4000+2.57 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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4000+2.63 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.41 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.47 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+5.32 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 96 Stücke:
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10+6.15 EUR
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SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
90+1.96 EUR
98+1.78 EUR
101+1.69 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2702 Stücke:
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 15 Stücke:
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SUD50N06-09L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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