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SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3.pdf
Produktcode: 82293
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay sud50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay sud50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay Siliconix SUD50P06-15L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
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2000+2.44 EUR
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay sud50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.63 EUR
50+3.53 EUR
100+3.12 EUR
250+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay sud50p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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36+5.06 EUR
51+3.42 EUR
56+2.95 EUR
100+2.5 EUR
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500+1.83 EUR
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay Semiconductors SUD50P06-15L-E3.pdf MOSFETs P-CH 60V 50A
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1+6.39 EUR
10+3.28 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay Siliconix SUD50P06-15L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 36708 Stücke:
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4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
50+3.33 EUR
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500+2.45 EUR
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY VISH-S-A0011029410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
51+4.62 EUR
100+3.64 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY SUD50P06-15L-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 165nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 30mΩ
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
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SUD50P06-15L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+2.19 EUR
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SUD50P06-15L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 478 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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50+3.53 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
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51+3.5 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AnzahlPrivatkunde
36+5.06 EUR
51+3.42 EUR
56+2.95 EUR
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250+2.37 EUR
500+1.83 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CH 60V 50A
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Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
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SUD50P06-15L-E3 VISH-S-A0011029410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 3435 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
29+8.68 EUR
51+4.62 EUR
100+3.64 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.81 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 165nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 30mΩ
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