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SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3.pdf
Produktcode: 133983
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.12 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.13 EUR
58+3.03 EUR
100+2.64 EUR
250+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Semiconductors SUD50P08-25L-E3.pdf MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
auf Bestellung 66637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+3.28 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
2000+2.26 EUR
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 22405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
50+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
56+4.15 EUR
100+3.8 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+2.12 EUR
6000+1.98 EUR
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SUD50P08-25L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.13 EUR
58+3.03 EUR
100+2.64 EUR
250+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
auf Bestellung 66637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.5 EUR
10+3.28 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
2000+2.26 EUR
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 22405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
50+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SUD50P08-25L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 8771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.82 EUR
56+4.15 EUR
100+3.8 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH