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SUM110P06-07L-E3

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0001113434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 21463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.14 EUR
250+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY sum110p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.45 EUR
16+5.39 EUR
18+4.87 EUR
25+4.19 EUR
50+3.72 EUR
100+3.3 EUR
125+3.18 EUR
250+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.68 EUR
30+5.69 EUR
50+4.94 EUR
100+4.27 EUR
125+4.06 EUR
250+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
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26+6.82 EUR
31+5.58 EUR
36+4.72 EUR
100+4.21 EUR
250+4.11 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
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26+6.82 EUR
31+5.46 EUR
36+4.55 EUR
100+3.99 EUR
250+3.78 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Semiconductors sum110p06-07l.pdf MOSFETs 60V 110A 375W
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+6.31 EUR
100+4.69 EUR
500+3.97 EUR
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 43289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.88 EUR
30+7.94 EUR
50+5.76 EUR
100+5.22 EUR
250+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 Siliconix sum110p06-07l.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0001113434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 21463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.14 EUR
250+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.45 EUR
16+5.39 EUR
18+4.87 EUR
25+4.19 EUR
50+3.72 EUR
100+3.3 EUR
125+3.18 EUR
250+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.68 EUR
30+5.69 EUR
50+4.94 EUR
100+4.27 EUR
125+4.06 EUR
250+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.82 EUR
31+5.58 EUR
36+4.72 EUR
100+4.21 EUR
250+4.11 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.82 EUR
31+5.46 EUR
36+4.55 EUR
100+3.99 EUR
250+3.78 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 110A 375W
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.84 EUR
10+6.31 EUR
100+4.69 EUR
500+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
auf Bestellung 43289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 21093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.88 EUR
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SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
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