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Technische Details SUM110P06-07L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024). 
Weitere Produktangebote SUM110P06-07L-E3 nach Preis ab 2.03 EUR bis 6.3 EUR
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R         | 
        
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R         | 
        
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R         | 
        
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V  | 
        
                             auf Bestellung 37423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
        
            
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY | 
            
                         Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke  | 
        
                             auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | 
        
            
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY | 
            
                         Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement  | 
        
                             auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
        
            
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | 
            
                         MOSFETs 60V 110A 375W         | 
        
                             auf Bestellung 9487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
        
            
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V  | 
        
                             auf Bestellung 37423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
        
            
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R         | 
        
                             auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY | 
            
                         Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)  | 
        
                             auf Bestellung 34703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R         | 
        
                             auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY | 
            
                         Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)  | 
        
                             auf Bestellung 34703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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        SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK         | 
        
                             auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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| SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Siliconix | 
            
                         Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07lAnzahl je Verpackung: 5 Stücke  | 
        
                             auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | 
        
            
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            SUM110P06-07L-E3 Produktcode: 141393 
            
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