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Technische Details SUM55P06-19L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUM55P06-19L-E3 nach Preis ab 1.23 EUR bis 4.63 EUR
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 55A 125W |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : VISHAY |
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors |
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| SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUM55P06-19L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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