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SUM70040E-GE3

SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix

sum70040e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SUM70040E-GE3 nach Preis ab 2.18 EUR bis 7.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay doc62995.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
60+2.69 EUR
100+2.28 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay doc62995.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
60+2.8 EUR
100+2.42 EUR
250+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY sum70040e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; 125W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.8 EUR
23+3.72 EUR
28+3.06 EUR
29+3 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
50+4.66 EUR
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix sum70040e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.81 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay / Siliconix sum70040e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.13 EUR
100+3.62 EUR
500+2.87 EUR
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SUM70040E-GE3 doc62995.pdf
SUM70040E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.32 EUR
60+2.69 EUR
100+2.28 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SUM70040E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.32 EUR
60+2.8 EUR
100+2.42 EUR
250+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SUM70040E-GE3 VISH-S-A0024174243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; 125W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.8 EUR
23+3.72 EUR
28+3.06 EUR
29+3 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SUM70040E-GE3 VISH-S-A0024174243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
50+4.66 EUR
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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SUM70040E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.31 EUR
10+4.81 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUM70040E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.79 EUR
10+5.13 EUR
100+3.62 EUR
500+2.87 EUR
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