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SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix

sum70101el.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
auf Bestellung 59200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, directShipCharge: 25.

Weitere Produktangebote SUM70101EL-GE3 nach Preis ab 3.17 EUR bis 10.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay sum70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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43+4.12 EUR
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay sum70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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100+4.11 EUR
500+3.63 EUR
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay sum70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.32 EUR
29+5.8 EUR
100+3.97 EUR
500+3.45 EUR
800+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Semiconductors sum70101el.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.9 EUR
10+6.59 EUR
100+4.71 EUR
500+4.14 EUR
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 739 Stücke:
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26+9.97 EUR
38+6.18 EUR
42+5.14 EUR
50+4.58 EUR
100+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
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50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
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SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay sum70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 7 Stücke:
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SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
auf Bestellung 59236 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
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