SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
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Technische Details SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote SUM70101EL-GE3 nach Preis ab 3.2 EUR bis 9.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 14289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 14289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263 |
auf Bestellung 3297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 8 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 4.16 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 8.38 EUR |
| 30+ | 5.96 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 800+ | 3.45 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 14289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.41 EUR |
| 29+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| 800+ | 3.2 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
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Mounting Type: Surface Mount
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Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.09 EUR |
| 10+ | 6.27 EUR |
| 100+ | 4.47 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 3297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.9 EUR |
| 10+ | 6.59 EUR |
| 100+ | 4.71 EUR |
| 500+ | 4.14 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: P Channel
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auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.97 EUR |
| 38+ | 6.18 EUR |
| 42+ | 5.14 EUR |
| 50+ | 4.58 EUR |
| 100+ | 4.07 EUR |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 8 Stücke:




