Weitere Produktangebote SUP50010E-GE3 nach Preis ab 6.54 EUR bis 9.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SUP50010E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220ABDrain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP50010E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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SUP50010E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUP50010E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
auf Bestellung 48 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.89 EUR |
| 10+ | 6.54 EUR |
| SUP50010E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SUP50010E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 10 Stücke:
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| SIHD11N80AE-GE3 Produktcode: 220649
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| UCC24636DBVR Produktcode: 189187
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| NCP785AH120T1G Produktcode: 188177
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| 470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000h) (ESX471M10B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 50475
3
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 10 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 6926 St.
- 6926 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |
| NCP1203D60R2G Produktcode: 24891
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Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 10 St.
- 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 165 St.
- 165 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.03 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |