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SUP50010EL-GE3

SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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Technische Details SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 Vishay Siliconix sup50010el.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 Vishay / Siliconix sup50010el.pdf MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220
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SUP50010EL-GE3 SUP50010EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 150A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
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