| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.69 EUR |
| 10+ | 5.12 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.29 EUR |
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Technische Details SUP50010EL-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SUP50010EL-GE3 nach Preis ab 2.96 EUR bis 7.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SUP50010EL-GE3 | Vishay | MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220 |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP50010EL-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUP50010EL-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220
MOSFETs 60V Vds 150A 375W TO-220
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.83 EUR |
| 10+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| 2500+ | 3.01 EUR |
| 5000+ | 2.96 EUR |
| SUP50010EL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SUP50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)