Technische Details SUP85N10-10-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SUP85N10-10-GE3 nach Preis ab 1.69 EUR bis 11.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SUP85N10-10-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 240A Drain current: 85A Drain-source voltage: 100V Gate charge: 160nC On-state resistance: 22mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 250W |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 1.69 EUR |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 85A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 85A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.49 EUR |
| 16+ | 4.5 EUR |
| 50+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 3.25 EUR |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 7.5 EUR |
| 50+ | 5.8 EUR |
| 100+ | 5.21 EUR |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.31 EUR |
| 50+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 4.8 EUR |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.63 EUR |
| 10+ | 6.27 EUR |
| 100+ | 5.76 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| SUP85N10-10-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH