SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 15.29 EUR |
| 50+ | 12.12 EUR |
| 100+ | 10.39 EUR |
| 500+ | 9.23 EUR |
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Technische Details SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm.
Weitere Produktangebote SUP85N10-10-GE3 nach Preis ab 2.53 EUR bis 15.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 85A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 85A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |