SUP90140E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4132 pF @ 100 V
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 5.16 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 3.50 EUR |
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Technische Details SUP90140E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUP90140E-GE3 nach Preis ab 2.69 EUR bis 5.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SUP90140E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220 |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP90140E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP90140E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90140E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90140E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP90140E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SUP90140E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |