SUP90P06-09L-E3
Produktcode: 188213
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90P06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 9300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90P06-09L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -67A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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