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T4F16AHM3/I

T4F16AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

t4f10a_t4f51a.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22VC DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details T4F16AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 13.6VWM 22VC DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.8A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 15.2V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V, Power - Peak Pulse: 400W, Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
T4F16AHM3/I T4F16AHM3/I Vishay General Semiconductor t4f10a_t4f51a.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes T4F - A 16V
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T4F16AHM3/I T4F16AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division t4f10a_t4f51a.pdf Description: TVS DIODE 13.6VWM 22VC DO219AB
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
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Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.8A
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
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