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T4F30AHM3/I

T4F30AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

t4f10a_t4f51a.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details T4F30AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.7A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 28.5V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V, Power - Peak Pulse: 400W, Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
T4F30AHM3/I T4F30AHM3/I Vishay General Semiconductor t4f10a_t4f51a.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes T4F - A 30V
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T4F30AHM3/I T4F30AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division t4f10a_t4f51a.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.7A
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Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
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T4F30AHM3/I T4F30AHM3/I Vishay Semiconductors t4f10a_t4f51a.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 400W,30V UNIDIR,SMF PAR
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