Technische Details TAN250A
Description: RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 6.2db ~ 7dB, Power - Max: 575W, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW.
Weitere Produktangebote TAN250A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| TAN250A | Microsemi |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TAN250A |
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Hersteller: Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

