TB1500L-13-F Diodes Zetex
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Technische Details TB1500L-13-F Diodes Zetex
Description: THYRISTOR 140V 150A DO-214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Capacitance: 60pF, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Number of Elements: 1, Voltage - Breakover: 180V, Voltage - Off State: 140V, Voltage - On State: 3.5 V, Supplier Device Package: SMB, Current - Hold (Ih): 150 mA, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A, Current - Peak Pulse (8/20µs): 150 A.
Weitere Produktangebote TB1500L-13-F nach Preis ab 0.62 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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TB1500L-13-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: THYRISTOR 140V 150A DO-214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Capacitance: 60pF Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Voltage - Breakover: 180V Voltage - Off State: 140V Voltage - On State: 3.5 V Supplier Device Package: SMB Current - Hold (Ih): 150 mA Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A Current - Peak Pulse (8/20µs): 150 A |
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| TB1500L-13-F |
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TB1500L-13-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Thyristor Surge Protection Devices 140V 15A 2-Pin SMB T/R |
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TB1500L-13-F | Hersteller : Diodes Inc |
Thyristor Surge Protection Devices 140V 15A 2-Pin SMB T/R |
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| TB1500L-13-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Thyristors - others Description: Thyristor: TSS; Urmax: 140V; SMB; SMD; reel,tape; 30A; bidirectional Type of thyristor: TSS Max. off-state voltage: 140V Case: SMB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: bidirectional Breakover voltage: 180V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TB1500L-13-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Thyristor Surge Protection Devices - TSPD 30A 140V |
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| TB1500L-13-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Thyristors - others Description: Thyristor: TSS; Urmax: 140V; SMB; SMD; reel,tape; 30A; bidirectional Type of thyristor: TSS Max. off-state voltage: 140V Case: SMB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: bidirectional Breakover voltage: 180V |
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