TBC857B,LM(T


Produktcode: 182452
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote TBC857B,LM(T nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TBC857B,LM(T TBC857B,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.32 EUR
1232+0.19 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TBC857B,LM(T TBC857B,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.32 EUR
1232+0.19 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TBC857B,LM(T Toshiba 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf Silicon PNP Epitaxial Type
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 815 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TBC857B,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
776+0.32 EUR
1232+0.19 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TBC857B,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
776+0.32 EUR
1232+0.19 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TBC857B,LM(T 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf
Hersteller: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 815 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH