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TC2320TG-G

TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf
Produktcode: 164760
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TC2320TG-G TC2320TG-G Microchip Technology TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
25+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TC2320TG-G TC2320TG-G Microchip Technology TC2320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-Dual-MOSFET-Data-Sheet-20005708B.pdf MOSFETs N/P Ch 200 Volt
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
25+2.45 EUR
100+2.22 EUR
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auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TC2320TG-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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AnzahlPreis
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TC2320TG-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs N/P Ch 200 Volt
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