TC2320TG-G Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 53+ | 2.62 EUR |
| 55+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.28 EUR |
| 250+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
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Technische Details TC2320TG-G Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote TC2320TG-G nach Preis ab 1.81 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs N/P Ch 200 Volt |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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| TC2320TG-G |
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TC2320TG-G Produktcode: 164760
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IC > IC Transistoranordnungen |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
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TC2320TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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TC2320TG-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 200/-200V; 1.2/-0.75A; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200/-200V Drain current: 1.2/-0.75A Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7/12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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