TC58BYG2S0HBAI4 Kioxia America, Inc.
Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.81 EUR |
| 10+ | 8.95 EUR |
| 25+ | 8.77 EUR |
| 40+ | 8.71 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TC58BYG2S0HBAI4 Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote TC58BYG2S0HBAI4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TC58BYG2S0HBAI4 | Kioxia America |
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TC58BYG2S0HBAI4 |
|
Hersteller: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH