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TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4 Kioxia America, Inc.

KIOXIA_TC58BYG2S0HBAI4_REV2.00_E191001C.pdf
Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 63-VFBGA
Packaging: Tray
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Technische Details TC58BYG2S0HBAI4 Kioxia America, Inc.

Description: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512M x 8, Access Time: 25 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND (SLC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 63-VFBGA, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TC58BYG2S0HBAI4 TC58BYG2S0HBAI4 Kioxia America tosc_s_a0007398967_1-2295677.pdf NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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TC58BYG2S0HBAI4 tosc_s_a0007398967_1-2295677.pdf
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Hersteller: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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