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TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6 Kioxia America, Inc.

KIOXIA_TC58BYG2S0HBAI6_REV2.00_E191001C.pdf
Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 67-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details TC58BYG2S0HBAI6 Kioxia America, Inc.

Description: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 67-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TC58BYG2S0HBAI6 TC58BYG2S0HBAI6 Kioxia America tosc_s_a0007398894_1-2295627.pdf NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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TC58BYG2S0HBAI6 Kioxia kioxia_tc58byg2s0hbai6_rev2.00_e191001c.pdf NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 338 Stücke
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TC58BYG2S0HBAI6 tosc_s_a0007398894_1-2295627.pdf
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Hersteller: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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TC58BYG2S0HBAI6 kioxia_tc58byg2s0hbai6_rev2.00_e191001c.pdf
Hersteller: Kioxia
NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
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