TC6215TG-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyTC6215TG-G Microchip Technology Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com
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| 58+ | 2.53 EUR |
| 59+ | 2.42 EUR |
| 60+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| 3000+ | 1.72 EUR |
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Technische Details TC6215TG-G Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote TC6215TG-G nach Preis ab 1.72 EUR bis 3.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TC6215TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
TC6215TG-G Microchip Technology Transistors MOSFETs N/P-CH 150V 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com |
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TC6215TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET |
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TC6215TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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TC6215TG-G | Hersteller : Microchip Technology |
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TC6215TG-G Produktcode: 196086
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Trans MOSFET N/P-CH 150V 8-Pin SOIC T/R |
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Trans MOSFET N/P-CH 150V 8-Pin SOIC T/R |
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Description: MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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