TDA2003AV ST
Produktcode: 166616
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220-5
Versorgungsspannung Uпит, V: 8...18 V
Leistung P, W: 10 W
Klirrfaktor Kг, %: 0,001 %
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TDA2003AV | ST |
Class-B Audio Power Amplifier; Po 6W @ 4? / THD 10%; 8V~18V; -40°C ~ 150°C; TDA2003AV ULTDA2003Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TDA2003AV | STMicroelectronics |
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 47 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TDA2003AV |
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Hersteller: ST
Class-B Audio Power Amplifier; Po 6W @ 4? / THD 10%; 8V~18V; -40°C ~ 150°C; TDA2003AV ULTDA2003
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Class-B Audio Power Amplifier; Po 6W @ 4? / THD 10%; 8V~18V; -40°C ~ 150°C; TDA2003AV ULTDA2003
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 10.46 EUR |
| TDA2003AV |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
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| BD139 Produktcode: 191983
5
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung 593 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N5457 Produktcode: 26511
1
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|
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Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 0,1 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4.5/ -
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 0,1 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4.5/ -
Montage: THT
auf Bestellung 238 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| LM311P Produktcode: 23424
3
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Кількість каналів: 1; Uпіт, В: 3,5…30; tз, нс: 115; Тип виходу: ОК/ОЕ; Uсм, мВ: 7,5; Iпотр, мА: 7,5;
Versorgungsspannung Udss, V: 3,5...30 V
Strom Id, A: 0.05 A
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Кількість каналів: 1; Uпіт, В: 3,5…30; tз, нс: 115; Тип виходу: ОК/ОЕ; Uсм, мВ: 7,5; Iпотр, мА: 7,5;
Versorgungsspannung Udss, V: 3,5...30 V
Strom Id, A: 0.05 A
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 214 St.
- 30 St. - stock Köln
- 184 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| TL074CN Produktcode: 22415
3
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|
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 3 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 3 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 3 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 3 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
verfügbar: 13 St.
- 5 St. - stock Köln
- 8 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
| BD140 (КТ814Г) Produktcode: 15292
2
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 1463 St.
- 104 St. - stock Köln
- 1359 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.17 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |





