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TDB6HK180N16RRB11BPSA1

Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16
Produktcode: 203329
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+159.7 EUR
15+121.86 EUR
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.55 EUR
10+145.64 EUR
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 INFINEON 2577587.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+208.92 EUR
5+191.33 EUR
10+174.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies ds_tdb6hk180n16rr_b11_2_0.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
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Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray
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