TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 140A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoBRIDGE, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 140A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote TDB6HK180N16RRB11BPSA1 nach Preis ab 242.58 EUR bis 285.96 EUR
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Part Status: Active Voltage - Off State: 1.6 kV |
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT-Module Transistor |
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 140A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoBRIDGE Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Produktcode: 203329
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005422422 |
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT-Module Transistor |
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