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TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-TDB6HK180N22RRP_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1ea2b8e039d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Voltage - Off State: 2.2 kV
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Technische Details TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411, Voltage - Off State: 2.2 kV, Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V, Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes, Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA, Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon_TDB6HK180N22RRP_B11_DataSheet_v00_20_JA-3167355.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO
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TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 Infineon_TDB6HK180N22RRP_B11_DataSheet_v00_20_JA-3167355.pdf
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