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TESD5V0L1UC RJG

TESD5V0L1UC RJG Taiwan Semiconductor

TESD5V0L1UC_E2007.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V, 100W, 2pF, ESD Protection Diode & Array
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Technische Details TESD5V0L1UC RJG Taiwan Semiconductor

Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 100W; 6÷9.8V; 3A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.1kW, Max. off-state voltage: 5V, Breakdown voltage: 6...9.8V, Max. forward impulse current: 3A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DFN1006-2, Mounting: SMD, Leakage current: 0.1µA, Kind of package: reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TESD5V0L1UC RJG TESD5V0L1UC RJG Taiwan Semiconductor Corporation TESD5V0L1UC_E2007.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN1006L
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