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TF412ST5G

TF412ST5G onsemi

tf412s-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
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Anzahl Preis
8000+0.15 EUR
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Technische Details TF412ST5G onsemi

Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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TF412ST5G TF412ST5G Hersteller : onsemi TF412S_D-3150575.pdf JFETs NCH J-FET SOT-883
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TF412ST5G TF412ST5G Hersteller : onsemi tf412s-d.pdf Description: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
auf Bestellung 59228 Stücke:
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37+0.48 EUR
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TF412ST5G TF412ST5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TF412ST5G TF412ST5G Hersteller : ON Semiconductor tf412s-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SOT-883 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TF412ST5G TF412ST5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013947547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TF412ST5G - JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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