| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.5 EUR |
| 9000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details TFM252012ALVA2R2MTAA TDK
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.084ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Metall, DC-Nennstrom: 2.8A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: TFM-ALVA Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote TFM252012ALVA2R2MTAA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TFM252012ALVA2R2MTAA | TDK |
 Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.084ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Metall DC-Nennstrom: 2.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: TFM-ALVA Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TFM252012ALVA2R2MTAA | TDK |
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.084ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Metall DC-Nennstrom: 2.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: TFM-ALVA Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TFM252012ALVA2R2MTAA |
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Hersteller: TDK
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series
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Produkthöhe: 1.2mm
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Bauart der Induktivität: Geschirmt
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.084ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Metall
DC-Nennstrom: 2.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TFM-ALVA Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series
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| TFM252012ALVA2R2MTAA |
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Hersteller: TDK
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: TDK - TFM252012ALVA2R2MTAA - Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 2.2 µH, 0.084 ohm, 2.8 A, TFM-ALVA Series
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
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