TGF2979-SM ---
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Код виробника: TGF2979-SM RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Technische Details TGF2979-SM ---
Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR, Packaging: Tray, Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 12GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 25W, Gain: 11dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 20-QFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 150 mA.
Weitere Produktangebote TGF2979-SM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TGF2979-SM | Hersteller : Qorvo |
Description: DC-12 GHZ, 25W, 32V GAN RF TR Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 12GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 25W Gain: 11dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 20-QFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 150 mA |
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TGF2979-SM | Hersteller : Qorvo |
GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB |
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