TH58BVG3S0HBAI4 Kioxia America
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Technische Details TH58BVG3S0HBAI4 Kioxia America
Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 1G x 8.
Weitere Produktangebote TH58BVG3S0HBAI4 nach Preis ab 14.42 EUR bis 19.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TH58BVG3S0HBAI4 | Kioxia America, Inc. |
 Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 1G x 8 |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TH58BVG3S0HBAI4 |
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Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 1G x 8
Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
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