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TH58BVG3S0HBAI4

TH58BVG3S0HBAI4 Kioxia America

tosc_s_a0007398777_1-2295621.pdf
Hersteller: Kioxia America
NAND Flash 8Gb SLC BENAND 24nm BGA 9x11 1.8V (EEPROM) 4K Page
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Technische Details TH58BVG3S0HBAI4 Kioxia America

Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA, Memory Organization: 1G x 8, Access Time: 20 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND (SLC), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 8Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 63-VFBGA, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TH58BVG3S0HBAI4 TH58BVG3S0HBAI4 Kioxia America, Inc. DST_TH58BVG3S0HBAI4-TDE_EN_31487.pdf Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA
Memory Organization: 1G x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 63-VFBGA
Packaging: Tray
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+12.74 EUR
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TH58BVG3S0HBAI4 DST_TH58BVG3S0HBAI4-TDE_EN_31487.pdf
TH58BVG3S0HBAI4
Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA
Memory Organization: 1G x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Gbit
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