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TIG056BF-1E ON Semiconductor


Hersteller: ON Semiconductor

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Technische Details TIG056BF-1E ON Semiconductor

Description: IGBT 430V TO-220F-3FS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A, Supplier Device Package: TO-220F-3FS, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns, Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 30 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIG056BF-1E TIG056BF-1E onsemi Description: IGBT 430V TO-220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 30 W
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TIG056BF-1E onsemi TIG056BF_D-2320191.pdf IGBT Transistors NCH IGBT 240A 150V
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TIG056BF-1E TIG056BF-1E ONSEMI 2255307.pdf Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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TIG056BF-1E ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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TIG056BF-1E ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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TIG056BF-1E
TIG056BF-1E
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 430V TO-220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 30 W
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TIG056BF-1E TIG056BF_D-2320191.pdf
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors NCH IGBT 240A 150V
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TIG056BF-1E 2255307.pdf
TIG056BF-1E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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TIG056BF-1E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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TIG056BF-1E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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