Technische Details TIG056BF-1E ON Semiconductor
Description: IGBT 430V TO-220F-3FS, Power - Max: 30 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Part Status: Obsolete, Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns, Supplier Device Package: TO-220F-3FS, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TIG056BF-1E | onsemi |
Description: IGBT 430V TO-220F-3FS Power - Max: 30 W Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Part Status: Obsolete Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns Supplier Device Package: TO-220F-3FS Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
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| TIG056BF-1E | onsemi |
 IGBT Transistors NCH IGBT 240A 150V |
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TIG056BF-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6 DC-Kollektorstrom: 240 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430 Verlustleistung Pd: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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| TIG056BF-1E | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube |
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Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TIG056BF-1E | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube |
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| TIG056BF-1E |
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 430V TO-220F-3FS
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Part Status: Obsolete
Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: IGBT 430V TO-220F-3FS
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Part Status: Obsolete
Test Condition: 320V, 240A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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| TIG056BF-1E |
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Hersteller: onsemi
IGBT Transistors NCH IGBT 240A 150V
IGBT Transistors NCH IGBT 240A 150V
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| TIG056BF-1E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - TIG056BF-1E - IGBT, 240 A, 3.6 V, 30 W, 430 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.6
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 430
Verlustleistung Pd: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| TIG056BF-1E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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| TIG056BF-1E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
Trans IGBT Chip N-CH 430V 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
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Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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