
TIP102G ON Semiconductor
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Technische Details TIP102G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP102G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote TIP102G nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TIP102G | Hersteller : ON Semiconductor |
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TIP102G | Hersteller : onsemi |
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TIP102G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
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TIP102G | Hersteller : ON Semiconductor |
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TIP102G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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TIP102G | Hersteller : ON Semiconductor |
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TIP102G | Hersteller : ON Semiconductor |
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TIP102G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Current gain: 20000 Mounting: THT Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TIP102G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Current gain: 20000 Mounting: THT Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.15...1.39mm |
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