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TIP102G

TIP102G ON Semiconductor

tip100d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP102G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP102G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIP102G TIP102G ON Semiconductor tip100d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP102G TIP102G ON Semiconductor tip100d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+3.67 EUR
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TIP102G TIP102G onsemi tip100-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4158 Stücke:
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6+3.77 EUR
50+1.82 EUR
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TIP102G TIP102G onsemi tip100-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
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1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
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TIP102G TIP102G ONSEMI ONSM-S-A0014426492-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP102G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
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Wandlerpolarität: NPN
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