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TIP110G

TIP110G ON Semiconductor

tip110d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3050 Stücke:
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Technische Details TIP110G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP110G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-220AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote TIP110G nach Preis ab 0.52 EUR bis 3.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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TIP110G TIP110G onsemi tip110-d.pdf Darlington Transistors 2A 60V Bipolar Power NPN
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10+1.39 EUR
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TIP110G TIP110G ONSEMI ONSM-S-A0014426487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP110G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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TIP110G TIP110G onsemi tip110-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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7+3.39 EUR
50+1.61 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
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2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TIP110G ON-Semiconductor tip110-d.pdf NPN Transistor; 2500; 2W; 60V; 2A; -65°C ~ 150°C; TIP110G TTIP110g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP110G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
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Wandlerpolarität: NPN
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DC-Kollektorstrom: 2A
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
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Power - Max: 2 W
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Trans Darlington NPN 60V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NPN Transistor; 2500; 2W; 60V; 2A; -65°C ~ 150°C; TIP110G TTIP110g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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