
TIP110G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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375+ | 0.39 EUR |
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Technische Details TIP110G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP110G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-220AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote TIP110G nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : onsemi |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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TIP110G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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TIP110G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TIP110G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 2W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 2W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
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