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TIP112G

TIP112G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP112G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 2mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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TIP112G TIP112G onsemi tip110-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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TIP112G TIP112G onsemi tip110-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
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Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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Power - Max: 2 W
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