TIP125G
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Technische Details TIP125G
Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TIP125G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 |
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TIP125G | onsemi |
Darlington Transistors 5A 60V Bipolar Power PNP |
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TIP125G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TIP125G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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Mindestbestellmenge: 1850 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TIP125G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Description: TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
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| TIP125G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 5A 60V Bipolar Power PNP
Darlington Transistors 5A 60V Bipolar Power PNP
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| TIP125G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
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Wandlerpolarität: PNP
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SVHC: Lead (25-Jun-2020)
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| TIP125G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans Darlington PNP 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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