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TIP29BG

TIP29BG ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP29BG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIP29BG TIP29BG ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1015 Stücke:
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TIP29BG TIP29BG ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP29BG TIP29BG onsemi tip29b-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
50+1.34 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TIP29BG TIP29BG onsemi tip29b-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
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2+2.84 EUR
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1000+0.81 EUR
2450+0.8 EUR
4900+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TIP29BG TIP29BG ONSEMI 1913542.pdf Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 279 Stücke:
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74+3.4 EUR
166+1.4 EUR
201+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
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Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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