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TIP29BG

TIP29BG ON Semiconductor

tip29bd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP29BG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CB51EFCFAE9820&compId=TIP29A-C_TIP30A-C.pdf?ci_sign=d0ea39944a06a9b634764395908636d5e2cab8c9 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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44+1.63 EUR
89+0.8 EUR
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CB51EFCFAE9820&compId=TIP29A-C_TIP30A-C.pdf?ci_sign=d0ea39944a06a9b634764395908636d5e2cab8c9 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : onsemi TIP29B_D-1814851.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 80V 30W NPN
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2+2.31 EUR
10+1.71 EUR
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1000+0.72 EUR
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : onsemi tip29b-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2061 Stücke:
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Anzahl Preis
7+2.57 EUR
50+1.21 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : ON Semiconductor tip29bd.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP29BG TIP29BG Hersteller : ONSEMI 1913542.pdf Description: ONSEMI - TIP29BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 291 Stücke:
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