TIP29CG ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details TIP29CG ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote TIP29CG nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TIP29CG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 15...75 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 15...75 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V 30W NPN |
auf Bestellung 5508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 14863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TIP29CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TIP29CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TIP29CG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 15 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |