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TIP30CG

TIP30CG ON Semiconductor

tip29b-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP30CG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP30CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIP30CG TIP30CG ON Semiconductor tip29b-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP30CG TIP30CG ON Semiconductor tip29b-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2750 Stücke:
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2500+0.4 EUR
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TIP30CG TIP30CG onsemi tip29b-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 100V 30W PNP
auf Bestellung 4837 Stücke:
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2+1.73 EUR
10+1.23 EUR
100+0.88 EUR
500+0.75 EUR
5600+0.67 EUR
11200+0.48 EUR
25200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TIP30CG TIP30CG ONSEMI tip29b-d.pdf Description: ONSEMI - TIP30CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
169+1.38 EUR
254+0.84 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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TIP30CG TIP30CG onsemi tip29b-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1826 Stücke:
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7+3.09 EUR
50+1.48 EUR
100+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TIP30CG TIP30CG ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 155 Stücke:
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TIP30CG TIP30CG ON Semiconductor tip29b-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
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TIP30CG TIP30CG ON Semiconductor tip29b-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+0.88 EUR
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Description: ONSEMI - TIP30CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 30W
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Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
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Wandlerpolarität: PNP
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Description: TRANS PNP 100V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 155 Stücke:
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TIP30CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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