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TIP31BG

TIP31BG ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP31BG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TIP31BG TIP31BG ON Semiconductor tip31ad.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP31BG TIP31BG ON Semiconductor tip31ad.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP31BG TIP31BG ON Semiconductor tip31ad.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP31BG TIP31BG onsemi tip31a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W NPN
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2+2.7 EUR
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TIP31BG TIP31BG ONSEMI 2034804.pdf Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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79+3.18 EUR
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TIP31BG TIP31BG onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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4+5.49 EUR
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TIP31BG TIP31BG ONSEMI TIP3xx.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 10...50
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TIP31BG
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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TIP31BG
Hersteller: ON Semiconductor
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TIP31BG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W NPN
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10+1.45 EUR
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2700+0.7 EUR
27000+0.52 EUR
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TIP31BG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2496 Stücke:
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TIP31BG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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4+5.49 EUR
50+2.71 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
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TIP31BG TIP3xx.PDF
TIP31BG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 10...50
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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