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TIP32AG

TIP32AG ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details TIP32AG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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1000+0.57 EUR
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TIP32AG TIP32AG ONSEMI TIP3xx.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Case: TO220AB
Current gain: 10...50
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
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54+1.34 EUR
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TIP32AG TIP32AG onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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9+2.04 EUR
50+0.95 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
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TIP32AG TIP32AG onsemi tip31a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 40W PNP
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TIP32AG TIP32AG ONSEMI ONSM-S-A0014832403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6254 Stücke:
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TIP32AG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Case: TO220AB
Current gain: 10...50
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
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