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TIP34B NTE Electronics, Inc.

Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT PNP 80V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Technische Details TIP34B NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS PNP 80V 10A TO-218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-218, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 80 W.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
TIP34B	Central Semiconductor Corp	Description: TRANS PNP 80V 10A TO-218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 80 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TIP34B	Bourns	Bipolar Transistors - BJT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TIP34B	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TIP34B

Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 80 W

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