Technische Details TIP34C STM
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 80 W.
Weitere Produktangebote TIP34C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TIP34C | STMicroelectronics |
 Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
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TIP34C | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
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| TIP34C | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
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| TIP34C | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
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| TIP34C | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
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TIP34C | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power |
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| TIP34C |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
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| TIP34C |
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS PNP 100V 10A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
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| TIP34C |
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT
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| TIP34C |
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Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
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| TIP34C |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
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| TIP34C |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power
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