TIP36B
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Technische Details TIP36B
Description: TRANS PNP 80V 25A TO-218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-218, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 125 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TIP36B | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 80V 25A TO-218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-218 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W |
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| TIP36B | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
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| TIP36B | Central Semiconductor |
Array |
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| TIP36B | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
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TIP36B | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT TO-218 PNP GP POWER |
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| TIP36B |
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 80V 25A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
Description: TRANS PNP 80V 25A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
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| TIP36B |
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT
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| TIP36B |
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Hersteller: Central Semiconductor
Array
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT TO-218 PNP GP POWER
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