TIP41BG ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 217+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.63 EUR |
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Technische Details TIP41BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote TIP41BG nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TIP41BG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 34100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP41BG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 80V 65W NPN |
auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TIP41BG | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TIP41BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TIP41BG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 6A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 809+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 10000+ | 0.64 EUR |
| TIP41BG |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 80V 65W NPN
Bipolar Transistors - BJT 6A 80V 65W NPN
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| TIP41BG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.39 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| TIP41BG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)